对热氧化制备的TiO2薄膜的低压压敏特性进行了研究。首先利用直流磁控溅射方法在重掺Si衬底上沉积一层金属钛膜,然后在退火炉中热氧化得到TiO2薄膜。XRD分析结果表明,Ti金属膜热氧化所得的TiO2薄膜为金红石结构,当热氧化温度600～800℃时呈现(200)择优取向性。I-V测试结果表明,择优取向的TiO2薄膜相对非择优取向的TiO2薄膜具有更高的压敏阈值电压。进一步分析表明,阈值电压与择优取向性的关系起源于薄膜厚度的变化。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
