一种量子点发光二极管及其制作方法

作者：张芹; 阳敏; 刘自磊; 张文静; 赵文天; 杨文学; 计俞伟; 张余宝; 黎芳芳

来源：2019-06-25, 中国, CN201910554402.9.

本发明公开了一种量子点发光二极管及其制作方法,透明基底与电源的正极相连,阴极与电源的负极相连；制作步骤如下：清洗透明基底,旋涂空穴注入层,旋涂第二空穴传输层,旋涂量子点发光层,旋涂ZnMgO电子传输层,蒸镀Al电极。本发明提高了器件的发光效率,拓宽了辐射复合区域,使更多的量子点能有效工作这将大幅度提高器件的转换效率。从而形成了高效率QLED,延长了发光器件的使用寿命,并且极大的提高了能源利用率,使用的材料简单常见、生产难度小、成本较低、实用性强,为人们的生活提供和创造了极大的便利。

• 单位
  南昌航空大学