一种基于位交错结构的亚阈值10管SRAM单元

作者：吴晓清; 吕嘉洵; 黄茂航; 贺雅娟^*

来源：微电子学, 2020, 50(06): 839-843.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.200036

• 超低压SRAM
• 低功耗
• 稳定性
• 软错误

提出了一种基于位交错结构的亚阈值10管SRAM单元,实现了电路在超低电压下能稳定地工作,并降低了电路功耗。采用内在读辅助技术消除了读干扰问题,有效提高了低压下的读稳定性。采用削弱单元反馈环路的写辅助技术,极大提高了写能力。该10管SRAM单元可消除半选干扰问题,提高位交错结构的抗软错误能力。在40 nm CMOS工艺下对电路进行了仿真。结果表明,该10管SRAM单元在低压下具有较高的读稳定性和优异的写能力。在0.4 V工作电压下,该10管SRAM单元的写裕度为传统6管单元的14.55倍。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室