Array制程光刻胶残留不良改善方法研究

作者：柴国庆; 余舒娴^*; 翁超; 周维忠; 刘超; 崔泰城

来源：电子世界, 2018, (17): 5-8.

DOI：10.19353/j.cnki.dzsj.2018.17.001

• TFT-LCD
• Array
• 光刻胶剥离
• 光刻胶残留
• 工艺参数

光刻胶剥离制程为TFT-LCD制造Array基板的重要制程,剥离与洗净效果决定TFT产品质量。光刻胶残留是其主要不良。本文分析光刻胶残留的现象和成因,通过剥离设备的结构调整与保养、工艺参数的优化来改善光刻胶残留。研究表明,通过优化技术人员作业手法,增大剥离区间流量,严格管控剥离液药液浓度和水洗区间清洁与改造等的联合运用,可以有效避免光刻胶的大面积残留,提高产品质量,减少重剥而降低产能Loss,同时最大限度降低对真空设备的影响。