导模法生长的β-Ga2O3单晶的位错腐蚀坑显露面

作者：张胜男; 王健; 霍晓青; 王英民; 周金杰; 程红娟

来源：半导体技术, 2022, 47(12): 956-971.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.12.003

• β-Ga2O3单晶
• 位错
• 腐蚀坑
• 显露面
• 表面能

β-Ga2O3单晶作为高压大功率器件的衬底，其位错密度直接影响器件的漏电特性，位错腐蚀坑显露面与外延生长密切相关。β-Ga2O3单晶属于单斜晶系，对称性低，研究不同晶面位错腐蚀坑的形状与显露面难度较高。对采用导模(EFG)法生长的(001)、■和(010)面β-Ga2O3晶片进行腐蚀，采用扫描电子显微镜(SEM)观测腐蚀坑形貌，采用共聚焦激光扫描显微镜对显露面与表面晶面之间的夹角进行表征，根据测试结果可推算出腐蚀坑显露面晶面指数，为衬底和外延生长提供重要的参考依据。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十六研究所