准二维范德瓦耳斯本征铁磁半导体CrGeTe3的THz光谱

作者：王晨; 夏威; 索鹏; 王伟; 林贤; 郭艳峰; 马国宏^*

来源：Acta Physica Sinica, 2022, 71(23): 368-374.

• 范德瓦耳斯铁磁半导体
• 时间分辨光谱
• 太赫兹光谱

准二维范德瓦耳斯本征铁磁半导体CrGeTe3兼具窄的半导体带隙和铁磁性质,在自旋电子学和光电子学等领域具有广阔的应用前景,近年来受到国内外研究人员的广泛关注.本文利用傅里叶红外光谱得到CrGeTe3间接带隙的大小,并采用超快太赫兹光谱(太赫兹时域光谱和光泵浦-太赫兹探测光谱)研究了准二维范德瓦耳斯本征铁磁半导体CrGeTe3的相关性质.结果表明,准二维CrGeTe3的间接带隙大小为0.38eV;在1THz附近的折射率约为3.2,吸收系数约为380cm–1;780nm激光泵浦后的光载流子符合双指数弛豫过程,存在快慢两个寿命,由电子-空穴对的复合主导,复光电导率的Drude-Smith模型拟合展示了微观系统的相关参量随时间的演化.本文主要展示了CrGeTe3在太赫兹波段的光谱及其相关性质,对光电子学等领域的研究具有借鉴意义.

• 单位
  上海光机所; 上海大学; 上海科技大学