CCD多晶硅层间复合绝缘介质研究

作者：廖乃镘; 刘昌林; 张明丹; 寇琳来; 罗春林; 阙蔺兰

来源：半导体光电, 2019, 40(04): 455-458.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2019.04.001

• 绝缘介质
• 多晶硅
• 电荷耦合器件

电荷耦合器件(CCD)多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。将氮化硅和二氧化硅作为CCD多晶硅层间复合绝缘介质,采用扫描电子显微镜(SEM)和电学测试系统研究了多晶硅层间氮化硅和二氧化硅复合绝缘介质对CCD多晶硅栅间距和多晶硅层间击穿电压的影响。研究结果表明,多晶硅层间复合绝缘介质中的氮化硅填充了多晶硅热氧化层的微小空隙,可以明显改善绝缘介质质量。多晶硅层间击穿电压随着氮化硅厚度的增加而增大,但太厚的氮化硅会导致CCD暗电流明显增大。由于复合绝缘介质质量好,可以减小CCD多晶硅的氧化厚度。