RGO/In2S3复合修饰TiO2纳米管阵列及其光催化应用

作者：李玥^*; 宋育泽; 李红英; 邵浦华; 高风仙

来源：电镀与涂饰, 2018, 37(15): 661-666.

DOI：10.19289/j.1004-227x.2018.15.001

• 二氧化钛纳米管阵列
• 三硫化二铟
• 石墨烯
• 脉冲电沉积
• 修饰
• 光催化
• 2,4-二氯苯氧乙酸
• 降解

采用脉冲电沉积法将In2S3纳米粒子沉积在TiO2纳米管阵列(NTs)上,得到In2S3–TiO2 NTs。然后通过脉冲电沉积法将石墨烯薄膜修饰在In2S3–TiO2 NTs上,制备出RGO/In2S3–TiO2 NTs复合材料。通过光电流测试和2,4-二氯苯氧乙酸(2,4-D)降解试验表征了RGO/In2S3–TiO2 NTs的光电性能和光催化性能。结果表明:相对于纯TiO2 NTs,RGO/In2S3–TiO2 NTs复合材料的光生电子-空穴对的复合率更低,对可见光的吸收更强。光催化180 min后,RGO/In2S3–TiO2 NTs复合材料对2,4-D的降解效率高达93.36%,重复使用5次后仍有90.70%。

• 单位
  河南工程学院