AlGaN日盲紫外焦平面阵列均匀性研究

作者：赵文伯; 叶嗣荣; 赵红; 罗木昌; 周勋; 杨晓波; 陈扬; 李艳炯; 申志辉; 柳聪

来源：半导体光电, 2018, 39(02): 156-200.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2018.02.002

• 响应均匀性
• 日盲探测器
• 混合集成结构
• 焦平面阵列

结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分布均匀性的各种因素。在此基础上,提出了改进器件均匀性的技术途径。利用MOCVD外延材料生长技术,生长了背照式AlGaN-pin异质结构外延材料,并利用所生长的外延材料制作了320×256元AlGaN日盲紫外焦平面阵列器件。测试所制作的器件,结果显示,其光谱响应范围为255280nm,位于日盲波段,0V偏置时272nm峰值波长响应度大于0.16A/W(外量子效率大于72.9%),有效像元数大于99.2%,响应非均匀性小于3.36%。