摘要
绝缘栅型双极性晶体管Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)作为光伏逆变器的核心器件,它的长期、可靠、稳定工作将直接影响到系统的性能。本文针对10 kW级并网光伏逆变器和IXYH公司所产IGBT,给出了驱动电路的设计方案,有效抑制了dV/dt上升速率,削弱了擎住效应,有效缓冲吸收了IGBT快速关断时经续流二极管反向恢复所产生的浪涌电压。最后结合工程实践,给驱动电路实验波形,验证了驱动电路设计的可靠性与合理性。
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单位安徽城市管理职业学院; 阳光电源股份有限公司