MoS2中带电点缺陷性能的理论研究

作者：肖金; 陈敏敏; 张丹; 崔丽玲; 何军^*

来源：湖南工业大学学报, 2020, 34(06): 76-85.

• 二硫化钼
• 带电缺陷
• 形成能
• 第一性原理
• TRSM

采用一个严谨的、透明的、与体系维度无关的带电缺陷计算理论TRSM模型,系统研究了MoS2中点缺陷的形成能。研究结果表明,单层MoS2的所有n型或p型固有缺陷电离能级都很深,并且S空位(VS)缺陷也不是实验观察到的n型导电性的起源。相反,H原子吸附在MoS2中具有非常低的离化能,可能是MoS2具有n型导电性的原因。

• 单位
  湖南工业大学