基于两端自发荧光辐射的808nm半导体激光器增益偏振特性实验表征和能带分析

作者：马明磊; 吴坚; 杨沐; 宁永强; 商广义

来源：Acta Physica Sinica, 2013, (17): 273-278.

• 半导体激光器
• 增益测量
• 偏振
• 量子阱和能带 semiconductor
• measurement of gain
• polarization
• quantum well and energy band

通过半导体激光器两端的放大自发荧光辐射可以获取器件的光学增益信息.本文利用这一新的增益实验测量方法,开展了对连续运行的808 nm GaAs/AlGaAs量子阱激光器横向电场(TE)与磁场(TM)偏振增益特性的实验研究.通过将实验结果与理论增益曲线对比,分析了非应变GaAs量子阱TE和TM极化偏振对应的空穴子能带随注入电流的变化规律,以及激光器在连续运行状态下的实际增益状态和影响因素.

• 单位
  北京航空航天大学; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 发光学及应用国家重点实验室