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摘要
本实用新型属于半导体发光器件技术领域,涉及一种硅衬底的LED垂直芯片,包括：依次设置的背面金属层、金属通孔层、硅衬底、外延层、电流扩散层、电流阻挡层、钝化层和正电极,其中：背面金属层和金属通孔层共同组成负电极；金属通孔层包括通孔、金属种子层和通孔填充金属；金属通孔层将背面金属层和外延层相连,形成背面负电极和顶部正电极的LED垂直结构。本实用新型LED垂直芯片省去了衬底转移工艺,避免了在转移衬底过程中工艺复杂、良率不稳定等问题；相比于现有市场的正装和倒装LED芯片,本实用新型LED垂直芯片解决了电流横向传输中电流拥挤的问题,保留了垂直结构芯片中电流垂直传输的优势。
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