具有不同Al组分的非极性a面p型AlGaN外延层的生长及特性研究

作者：张雄; 范艾杰; 崔一平

来源：安庆师范大学学报(自然科学版), 2021, 27(03): 1-7.

DOI：10.13757/j.cnki.cn34-1328/n.2021.03.001

• 脉冲流量供给
• 非极性a面p-AlGaN
• 镁掺杂
• 表面形态
• 电阻率
• 空穴浓度

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在半极性r面蓝宝石衬底上成功生长了具有不同Al组分的非极性a面Mg-δ掺杂的p-AlGaN外延层。通过使用高分辨率X射线衍射仪、原子力显微镜和霍尔效应测试仪等表征方法,系统研究了Al组分从0到41%的非极性a面p-AlGaN外延层的结构与电学性质。特别针对具有较高Al组分的非极性a面p-AlGaN层的外延生长,创新性地研发了一种以金属有机源的流量脉冲供给为特征的MOCVD生长工艺。研究结果表明,在非极性a面p-AlGaN外延层的MOCVD生长过程中采用以金属有机源的流量脉冲供给为特征的MOCVD生长技术,可以显著提高非极性a面p-AlGaN外延层电导率。其中,利用该技术所生长的p-Al0.41Ga0.59N外延层样品的空穴浓度可高达7.0×1016cm-3,为制备高发光效率的非极性a面AlGaN基紫外发光二极管打下了坚实的基础。

• 单位
  东南大学