Infineon 1EDF5673K单路增强隔离高压增强型GaN栅极驱动方案

来源：世界电子元器件, 2022, (05): 40-46.

<正>Infineon公司的1EDF5673K, 1EDF5673F和1EDS5663H是单路增强隔离高压增强型GaN HEMT栅极驱动器. Cool GaN?和同类GaN开关在”开”态需要几mA的连续栅极电流.此外,由于低阈值电压和极快开关瞬态,需要负的”关”电压电平.广泛使用的RC耦合栅极驱动器完全满足这些要求,但是,它受到开关动态的占空比依赖性和特殊状态下缺乏负的栅极驱动的影响. Infineon公司的GaN