合金化方法抑制银晶须生长的研究

作者：徐强; 林广^*; 张瑞强; 肖富强

来源：电子元件与材料, 2019, 38(03): 77-80.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.03.014

• 合金化
• 钯
• 抑制
• 银晶须
• 生长

瓷介电容器具有诸多优点而被广泛用于电子电路中,而瓷介电容器引出端金属层会自发生长晶须,晶须的产生会造成电气短路、残屑污染、等离子体电弧放电等问题,对电子行业产生一定风险。本文以瓷介电容器端面银层为研究对象,利用合金化的方法,通过向银中添加一定含量的钯,经充分混合、涂覆、烘干、烧银后置于低气压受热环境下,借助SEM、EDS等方法探究添加钯对银晶须生长的影响。结果表明,通过向银中添加钯不能完全抑制银晶须的生长现象,但钯能够减缓银的迁移速率,延长晶须生长孕育期,在一定程度上能够抑制银晶须的生长。

• 单位
  成都宏明电子科大新材料有限公司