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摘要
本发明属于金属涂层制备技术领域,公开了一种镶嵌结构界面α-Cr2O3涂层及其制备方法。所述制备方法为：以Cr作沉积靶材,通过磁控溅射系统在工件基体表面沉积Cr过渡层,然后在500～600℃热氧化处理,在Cr过渡层表面形成α-Cr2O3镶嵌结构界面层,再重新放入磁控溅射系统中,在脉冲频率为600～2000Hz、占空比为1.5～5％、氧分压为7～15％的Ar+O2混合气体条件下用高功率脉冲反应磁控溅射法沉积出α-Cr2O3涂层。本发明所得镶嵌结构界面α-Cr2O3涂层方法沉积工艺稳定,不存在靶中毒问题,所沉积的涂层与基体结合牢固,具有稳定的α相结构。
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