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摘要
腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一。为制备高功率和高可靠性半导体器件，初步探索了Si杂质诱导量子阱混杂技术，并将其应用于975 nm半导体激光器件的非吸收窗口制备工艺。采用循环退火方式，研究了不同条件下Si杂质诱导量子阱混杂的效果，当退火温度为830℃，退火时间为10 min，循环次数为3次时，达到最大波长蓝移量59 nm。分别在800℃5次10 min和830℃3次10 min退火条件下制备了非吸收窗口。与普通器件相比，制备非吸收窗口的器件阈值电流增大，斜率效率下降，工作电流大于10 A后器件斜率效率降低，电流-工作电流曲线呈现饱和趋势。相较之下，800℃5次10 min条件下对应的器件性能相对较好。工作电流达到15 A后普通器件失效，而制备了非吸收窗口的器件则在电流大于20 A后仍可正常工作，腔面光学灾变损伤阈值提高了33.0%以上。
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