AlN单晶性质与AlGaN外延生长研究

作者：付润定; 庄德津; 修向前^*; 谢自力; 陈鹏; 张荣; 郑有炓

来源：陶瓷学报, 2018, 39(06): 690-695.

DOI：10.13957/j.cnki.tcxb.2018.06.006

• AlN单晶
• 化学机械抛光
• AlGaN
• Stranski-Krastanow生长模式
• 应变梯度模型

对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量。用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光,得到了厚度均匀、具有器件质量表面的AlN单晶片。利用MOCVD在AlN单晶片上外延了Al组分约为18.2%的AlGaN薄膜,其生长模式符合StranskiKrastanow模式。利用应变梯度模型解释了AlGaN外延层中应变状态和表面裂纹的形成机制。

• 单位
  南京大学