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摘要
在室温条件下使用射频磁控溅射设备在100 nm热氧化SiO2上沉积镓掺杂氧化锌(GZO)薄膜，并制备成薄膜晶体管器件．研究薄膜沉积过程中氧氩比对GZO薄膜及器件的影响．使用紫外可见分光光度计表征薄膜的光学特性，通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察薄膜的表面形貌．实验结果表明，不同氧氩比条件沉积的GZO薄膜在可见光区的平均透过率均在90%以上．合适的氧氩比可以降低氧空位缺陷，使薄膜的陷阱态密度最小，当氧氩比为10∶90时GZO器件的电学性能达到最佳，迁移率为0.82 cm2/Vs，阈值电压为5.01 V，亚阈值摆幅为2.51 V/dec，开关电流比达到1.27×107.
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