后摩尔时代新兴计算芯片进展

作者：武俊齐; 赖凡

来源：微电子学, 2020, 50(03): 384-388.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190755

• 摩尔定律
• 超越摩尔定律
• 超越CMOS
• 计算芯片
• 3D SoC
• 碳纳米管场效应晶体管
• 冯·诺依曼架构
• 神经形态计算
• 量子计算
• 边缘计算

信息处理系统由于基础半导体技术遭遇"摩尔定律接近终结"和现行计算架构(冯·诺依曼架构)缺陷所导致的瓶颈,其发展受到严重挑战。为克服这些制约因素,一方面,集成电路开始沿着由技术内生动力和应用拉动的趋势,即"超越摩尔定律"和"超越CMOS"的方向,逐步发展,包括对单片3D系统和碳纳米管场效应晶体管芯片等新兴计算芯片技术的研究;另一方面,计算范式变革推动了以"神经形态计算"类脑芯片等构建的非冯·诺依曼架构的芯片迅速发展。本文从以上两个方面研究了后摩尔时代新计算芯片技术发展的脉络,分析了数字计算芯片、模拟计算芯片、神经形态计算芯片等新兴计算芯片技术的新进展。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十四研究所