基于GPS频段的单芯片低噪声放大器设计

作者：肖磊

来源：集成电路应用, 2022, 39(02): 10-12.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2022.02.004

• 集成电路设计
• 低噪声放大器
• GPS
• 噪声系数
• 增益

阐述基于110nm工艺设计了一个应用于GPS波段的单片的低噪声放大器，该低噪声放大器采用了片外匹配电感从而降低芯片内部的面积，同时使用了平面螺旋电感作为负载电感，通过设计与仿真，该低噪声放大器在1.575GHz时，工作电流为6.6mA，增益为19.1dB，噪声系数为0.82dB,输入匹配与输出匹配均大于-10dBm,P1dB为-12dBm。

• 单位
  上海电力大学