一种槽栅增强型MISHEMT器件及其制作方法

作者：耿魁伟; 渠文宽; 黄华茂; 刘玉荣; 姚若河

来源：2019-01-28, 中国, ZL201910080310.1.

本发明公开了一种槽栅增强型MISHEMT器件,包括衬底；位于所述衬底上异质外延生长的SiN成核层；位于所述SiN成核层上外延生长的GaN缓冲层；位于所述GaN缓冲层上外延生长的AlGaN背势垒层；位于所述AlGaN背势垒层上外延生长的GaN沟道层；位于所述GaN沟道层上外延生长的AlGaN势垒层；位于所述AlGaN势垒层上外延生长的第一AlGaN调制层；位于所述第一AlGaN调制层上外延生长的第二AlGaN调制层；所述第二AlGaN调制层的中部刻蚀有凹栅槽,凹栅槽表面淀积有Al2O3绝缘层,所本发明的器件的有益之处在于击穿电压增大、阈值电压增大和饱和电流密度增大。

• 单位
  华南理工大学