氧化钨纳米线定域制备及其场发射特性研究

作者：陈道坤; 许卓; 刘飞; 邓少芝; 许宁生; 陈军

来源：真空电子技术, 2015, (1): 4-7.

DOI：10.3969/j.issn.1002-8935.2015.01.002

• 氧化钨纳米线
• 热氧化制备
• 场发射特性

冷阴极在X射线源中有重要应用.本文结合微加工技术和磁控溅射镀膜技术,采用直接热氧化法实现了在玻璃衬底上大面积定域制备氧化钨(WO3)纳米线阵列.制备所得的WO3纳米线具有较大的长径比.场发射特性测试表明,该WO3纳米线冷阴极具有良好的场发射特性,开启电场为4.9 V/μm,发射均匀性好,有望应用在平板X射线源中.

• 单位
  光电材料与技术国家重点实验室; 中山大学