本发明涉及一种GaN器件栅金属/半导体界面的改善方法,包括：制备GaN器件,其中,所述GaN器件具有肖特基接触区域；在预设能量、预设剂量、预设温度和预设时间下,对所述肖特基接触区域进行质子辐照。本发明实施例通过对GaN器件的肖特基接触区域进行一定程度的质子辐照,有效降低了栅金属/半导体界面态密度,从而改善了界面质量,提升了器件的可靠性,使得GaN器件在各个领域均能正常使用,从而使GaN器件的应用范围更为广阔。
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