GaN HEMT非线性模型和微波功率放大器设计

作者：叶川

来源：其他, 2011.

• AlGaN/GaN HEMTs
• 大信号模型
• 参数提取
• 功率放大器
• 增益 AlGaN/GaN HEMTs
• Large-Signal Model
• Parasitic extraction
• PA
• Gain

与前二代半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)材料相比,第三代半导体氮化镓(GaN)材料具有禁带宽、电子迁移率高、电子饱和速率高、耐高压和耐高温等众多优点。GaN材料的这些特性使得AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有输出功率密度大,工作电压高和输出阻抗高等特点,在光电子、高温大功率器件、民用通信和微波通信应用方面有着广阔的前景。 为了使GaN器件应用于微波和毫米波电路,需要对器件的可靠性及电路设计等方面提出更高的要求。目前,AlGaN/GaN HEMT器件可靠性及模型建立理论方面的研究成果较少,无法很好的描述GaN器件特性。 本文在经典Angelov模型和EEHE...

• 单位
  西安电子科技大学