摘要

基于单边带时间调制技术的新型相控阵具有精度高、成本低、宽带宽和可重构等诸多优点,在精确制导和移动通信等军民领域具有巨大的应用潜力,是当前的研究热点.本文全面回顾了时间调制相控阵的发展历程,介绍了在提升效率、抑制边带和抑制副瓣等方面的最新研究进展,展示了互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide semiconductor, CMOS)工艺时间调制相控阵芯片等工程化研究成果.本文不仅对时间调制相控阵的进一步发展具有参考价值,而且可为其军事、航天和新一代无线通信等前沿领域的推广应用起到推动作用.