摘要
碳化硅是目前使用最为广泛的陶瓷材料之一,但其机械加工困难带了较高的成本.笔者采用热压烧结工艺于1850℃/30 MPa制备了不同纳米TiN含量的Ti N-SiC复合陶瓷并研究了其力学性能与导电性能.纳米TiN的加入起到了显著的增强效果,其中加入25wt%和40wt%TiN的复合陶瓷的抗弯强度都超过了800 MPa;随着TiN含量的增加,复合材料的电阻率逐渐降低.当TiN含量超过35wt%时,材料电阻率发生突变迅速降低,当TiN含量达到40wt%时电阻率达到了4.92×10-3Ω·cm,此时材料可以进行有效的电火花加工.
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单位材料科学与工程学院; 华南理工大学