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摘要
本发明涉及一种背栅全控型AlGaN/GaN异质结增强型功率HEMT器件及制备方法,其中HEMT器件包括：自下而上依次层叠设置的衬底、P-GaN层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；源电极,设置在AlGaN势垒层上的一侧；漏电极,设置在AlGaN势垒层上的另一侧,且与源电极相对设置；源电极与漏电极之间的部分厚度的衬底、P-GaN层、GaN沟道层和AlGaN势垒层,形成鳍形结构；栅电极,位于源电极与漏电极之间,覆盖鳍形结构垂直于衬底的两个侧面以及鳍形结构的顶面,栅电极与P-GaN层之间形成欧姆接触；栅介质层,设置在栅电极与鳍形结构之间。本发明的背栅全控型AlGaN/GaN异质结增强型功率HEMT器件,采用P-GaN层与栅金属形成背栅的方式,调节AlGaN/GaN异质结栅极电场,有利于提高器件的击穿电压。
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