高透腔面大功率650nm红光半导体激光器

作者：夏伟; 马德营; 王翎; 李树强; 汤庆敏; 张新; 刘琦; 任忠祥; 徐现刚

来源：中国激光, 2007, 34(09): 1182-1184.

DOI：10.3321/j.issn:0258-7025.2007.09.004

• 激光器
• 红光半导体激光器
• 大功率
• 高透腔面
• 650nm lasers
• red semiconductor laser
• high power
• transparent window
• 650 nm

利用石英闭管法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长的应变量子阱(MQW)650 nm AlGaInP/GaInP材料进行选择区域扩Zn,使扩Zn区域的光致发光(PL)谱的峰值蓝移达175 meV,形成对650 nm波长激光器的高透腔面,有益于减少激光器腔面光吸收,增加了激光器退化的光学灾变损伤(COD)阈值.后工艺制作出条宽100μm,腔长1 mm的增益导引激光器,实现了红光半导体激光器的大功率输出.激光器阈值电流为382 mA,在2.28 A工作电流时达到光学灾变损伤阈值,最大连续输出光功率1.55 W,外微分量子效率达到0.82 W/A.

• 单位
  山东华光光电子有限公司; 晶体材料国家重点实验室; 山东大学