一种基于0.18μm SiGe工艺的8 GHz前置分频器

作者：张红; 张振宁; 叶松

来源：成都信息工程大学学报, 2022, 37(04): 392-395.

DOI：10.16836/j.cnki.jcuit.2022.04.005

• CML
• 前置分频器
• HBT
• SiGe
• BiCMOS

随着无线通信技术的高速发展,对高频率高带宽的频率源需求愈加迫切。在高频大带宽频率源中,高性能的分频器是一个重要的部分。为满足高频宽带通信的应用需求,设计实现了基于电流模逻辑结构的高频宽带除8/9、16/17前置分频器。通过分析CML锁存器工作原理与性能,设计了优化参数的集合与门的CML结构D触发器、双路选择器、逻辑或门结构,并基于该D触发器、选择器、或门设计了除8/9、16/17前置分频器。前置分频器使用0.18μm SiGe BiCMOS工艺流片并测试,测试结果表明,在3.3 V电源电压下,分频器工作频率可达20 MHz～8 GHz,带宽约8 GHz,功耗6.6 mW。与其他设计相比,设计的分频器功耗低同时还具有较高的工作频率和大的带宽。

• 单位
  成都信息工程大学