近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的结构设计与仿真

作者：陈豪; 肖清泉^*; 谢泉; 王坤; 史娇娜

来源：材料导报, 2019, 33(20): 3358-3362.

• Mg2Si/Si异质结
• 光谱响应
• 暗电流密度
• 界面态密度

本工作设计了近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的器件结构,并采用Silvaco-TCAD对器件主要性能参数(包括光谱响应、暗电流等)进行模拟仿真,优化了器件的结构参数和工艺参数。仿真结果表明:所设计的pin型光电二极管在波长为0. 6～1. 5μm时比pn型光电二极管具有更高的响应度,峰值波长为1. 11μm时,响应度最高达到0. 742 A·W-1,1. 31μm处响应度为0. 53 A·W-1。pin型光电二极管的暗电流密度较pn型光电二极管略大,约为1×10-6A·cm-2。Mg2Si/Si异质结中间界面态密度也不宜超过1×1011cm-2。

• 单位
  贵州大学