阳极刻蚀提升Ga2O3肖特基势垒二极管击穿特性

作者：郭艳敏; 杨玉章; 冯志红; 王元刚; 刘宏宇; 韩静文

来源：半导体技术, 2023, 48(05): 375-379.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2023.05.002

• 氧化镓(Ga2O3)
• 肖特基势垒二极管(SBD)
• 刻蚀
• 击穿电压
• 功率品质因子(FOM)

提出了一种采用阳极刻蚀提升Ga2O3肖特基势垒二极管(SBD)击穿特性的新方法。基于氢化物气相外延(HVPE)法生长的Ga2O3材料制备了Ga2O3纵向SBD。在完成阳极制备后，对阳极以外的Ga2O3漂移区进行了不同深度的刻蚀，刻蚀完成后，在器件表面生长了SiO2介质层，随后制备了场板结构。测试结果显示，刻蚀后器件的比导通电阻小幅上升，而反向击穿电压均大幅提升。刻蚀深度为300 nm的β-Ga2O3 SBD具有最优特性，其比导通电阻(Ron, sp)为2.5 mΩ·cm2,击穿电压(Vbr)为1 410 V,功率品质因子(FOM)为795 MW/cm2。该研究为高性能Ga2O3 SBD的制备提供了一种新方法。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所