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摘要
本发明公开了一种肖特基/欧姆漏结构的HEMT器件及其制备方法。所述肖特基/欧姆漏结构的HEMT器件自下而上包括硅衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层以及AlGaN势垒层；AlGaN势垒层上方设置有栅电极、源电极和漏电极,栅电极位于源电极和漏电极之间。自下而上包括硅衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层以及AlGaN势垒层；AlGaN势垒层上方设置有栅电极、源电极和漏电极,栅电极位于源电极和漏电极之间。本发明制备的源漏电极与帽层形成了双层接触界面,在退火后形成了肖特基/欧姆漏结构,优化了漏极侧电场分布,提高了击穿电压及其分布稳定性。
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