铽掺杂纳米晶GaN薄膜的室温可见发光

作者：王涛; 潘孝军; 张振兴; 李晖; 谢二庆

来源：中国稀土学报, 2008, (02): 244-248.

• 反应溅射
• nc-GaN薄膜
• Tb掺杂
• 光致发光
• 稀土 reactive sputtering
• nanocrystal GaN film
• Tb3+ doping
• photoluminescence
• rare earths

利用直流磁控反应式共溅射方法制备了GaN∶Tb薄膜。XRD结果显示,该薄膜为纳米晶结构,根据Scherrer公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为4.8 nm;紫外可见谱表明在可见光区薄膜的平均透过率大于75%,同时利用Tauc公式计算得到了薄膜的光学带隙为3.07 eV;测量了薄膜的室温光致发光谱,获得了Tb3+在可见光区(位于497.0,552.4,594.2以及627.8 nm)的本征发光。

• 单位
  兰州大学