退火对电弧离子镀制备的ZnO薄膜的影响

作者：王明东; 郑婷; 朱道云; 何振辉; 陈弟虎; 闻立时

来源：人工晶体学报, 2008, (01): 156-161.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2008.01.043

• 阴极电弧离子沉积
• ZnO薄膜
• 退火 cathodic vacuum arc deposition
• ZnO thin films
• annealing

采用阴极电弧离子镀在Si、Al2O3以及玻璃衬底上制备出具有择优取向的ZnO薄膜,并对其进行退火处理。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光光谱(PL)、紫外-可见光光谱仪对ZnO薄膜的结构、表面形貌和光学性能进行分析。XRD结果表明,所制备的ZnO薄膜具有很好的ZnO(002)择优取向,退火使ZnO(002)衍射峰向高角度方向偏移。SEM结果表明,随着退火温度升高,表面晶粒由隆起的山脉或塔状变为平面状,晶粒002面呈六边状。PL谱结果表明,随着退火温度的升高,紫外发光峰强度逐渐增强,可见光发光峰强度逐渐相对减弱。紫外可见光透过谱结果表明,退火使可见光透过率增高,光学带...

• 单位
  光电材料与技术国家重点实验室; 中山大学