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摘要
本发明涉及一种基于硅/六方氮化硼异质结的场效应管器件及制备方法,场效应管器件包括：硅衬底层、六方氮化硼势垒层、源极、漏极和栅极,六方氮化硼势垒层至少部分采用n型掺杂的六方氮化硼；六方氮化硼势垒层设置在硅衬底层的上表面,六方氮化硼势垒层与硅衬底层在接触面形成异质结,且在硅衬底层中形成位于异质结界面的二维电子气沟道；源极设置在六方氮化硼势垒层上表面一侧；漏极设置在六方氮化硼势垒层上表面另一侧；栅极设置在源极和漏极之间的六方氮化硼势垒层上。本实施例使用硅和六方氮化硼之间形成的异质结诱导出二维电子气进行横向导电,可以有效提高硅基导电沟道的载流子浓度和迁移率,使器件获得更高的电流密度和更好的高频特性。
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