本发明属于薄膜晶体管技术领域,公开了一种双层硅掺杂氧化锡基薄膜晶体管及其制备方法和应用。本发明采用低成本的非晶硅掺杂氧化锡半导体材料作为有源层材料,通过改变氧分压,制备双有源层结构,调控器件沟道中的载流子,获得良好的器件性能,因此可应用于液晶显示和有机发光二极管显示中。本发明制备双有源层的靶材是同一块靶材,不需要开腔更换靶材,制备简单,有效地节约成本和提高生产效率。
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