非极性GaN基微型发光二极管及制备方法

作者：许晟瑞; 张怡; 许文强; 张金风; 彭利萍; 张雅超; 任泽阳; 张进成; 郝跃

来源：2021-01-18, 中国, CN202110060273.5.

本发明公开了一种非极性GaN基微型发光二极管及其制备方法,主要解决现有极性GaN基微型发光二极管中由于极化效应的影响,导致发光效率不高的问题。其自下而上包括：衬底,高温AlN成核层,n型GaN层,In-xGa-(1-x)N/GaN多量子阱,p型GaN层,该n型GaN层和p型GaN层上分别设有n型电极和p型电极。其中：衬底采用r面蓝宝石,用以外延生长非极性a面GaN,In-xGa-(1-x)N/GaN多量子阱为非极性,其周期数为5,且In-xGa-(1-x)N阱层的In含量x的调整范围为0.1-0.4。本发明消除了由极化效应造成的不良影响,进而提升了器件的发光效率,可用来制作高亮度、高分辨率和高对比度的显示器。

• 单位
  西安电子科技大学