BCB/InP基宽带低损耗共面波导微波传输线

作者：侯海燕; 熊兵; 徐建明; 周奇伟; 孙长征; 罗毅

来源：半导体光电, 2008, (05): 733-736+740.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2008.05.030

• 低损耗InP基微波波导
• 共面波导
• 苯并环丁烯
• 半绝缘InP衬底

面向高速行波电吸收(EA)调制器的需要,设计并制作了基于苯并环丁烯(BCB)聚合物/InP衬底的宽带(0~40 GHz)、低损耗微波共面波导传输线。对共面波导结构开展仿真设计,分别对BCB材料厚度、InP衬底导电率和信号电极宽度等关键参数进行了优化。结果表明,当设计的BCB膜厚为4μm、InP衬底导电率小于0.002(Ω.cm)-1和信号线宽度为84μm时,微波传输性能可达最优。在此基础上,采用电阻率为108Ω.cm的半绝缘(SI)InP衬底、涂覆4μm BCB薄膜,制作出0~40 GHz范围内微波损耗小于0.5 dB/mm的共面波导传输线。

• 单位
  清华信息科学与技术国家实验室; 集成光电子学国家重点实验室; 清华大学