退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响

作者：李忠; 赵显; 李玉国; 薛成山

来源：电子元件与材料, 2004, (07): 46-47+50.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2004.07.016

• 注碳外延硅
• 蓝光发射
• 纳米硅镶嵌结构
• 氮气氛中退火 Epitaxial silicon with C~ implantation
• Blue emission
• Nanometer Si with embedded structure
• N2 anealing

获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为 1 000℃样品具有最强的发射强度。认为经碳注入所引入的杂质C = O 复合体是发光的重要因素;经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形成纳米硅镶嵌结构,因量子限制效应–表面复合效应而发光。　

• 单位
  山东大学; 山东师范大学; 晶体材料国家重点实验室