BT基Y5V高压电容瓷织构对抗电强度的影响

作者：杨金平; 江涛; 江丽君

来源：电子元件与材料, 2005, (04): 41-43.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2005.04.012

• 无机非金属材料
• 钛酸钡
• 高压电容器
• 晶粒
• 次相 inorganic non-metallic materials
• BaTiO3
• high-voltage capacitos
• crystal grain
• second phases

在研制BaTiO3(BT)基Y5V高压电容器瓷料基础上,对不同配方的试样进行交流高压试验,SEM显微结构分析结果显示,当试样晶粒较小时(3~10μm),抗电强度较高(≥4.3MV/m),强交流电场引起的晶粒应力、应变不足以导致晶粒击穿;而晶粒较粗时(≥20μm),其应力、应变导致抗电强度明显降低。瓷体中次相对强交流电场有缓冲作用,随含量增加而抗电强度提高,但介电常数降低。在此基础上探讨了瓷体织构对抗电强度影响机制。

• 单位
  华南理工大学