碳化硅纳米线合成及显微结构分析

作者：任克刚; 陈克新; 周和平; 宁晓山; 金海波; 钟继东

来源：稀有金属材料与工程, 2009, S2: 52-54.

• 碳化硅
• 纳米线
• 反应机制 SiC
• nanowire
• formation mechanism

利用悬浮床,以Si粉为原料,在0.2L/min的高纯氮气中,维持反应温度1～600℃,悬浮反应30min,在预先放置的收集器上得到了SiC纳米线,XRD结果表明所得SiC纳米线为部分结晶状态,结晶态晶型为六方6H型。SEM形貌观察结果表明,所得SiC为纳米线。进一步SEM观察发现,大量纳米线的端部有球状液滴存在,VLS机制为该纳米线的主要形成机制,通过EDX能谱对比分析,纳米线端部球状液滴中相对纳米线本身含有较多的氧元素,因此,氧元素对于通过VLS机制形成SiC纳米线起到了促进作用。TEM观察显示,纳米线中存在大量的堆垛层错缺陷。

• 单位
  清华大学; 北京理工大学; 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室