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摘要
为实现基于硅基材料的高效光源，提出激光晶化形成纳米硅基电致发光材料性能研究，来明确了激光晶化形成纳米硅基电致发光材料的基本性能。主要以选择的纳米硅基电致发光材料作为研究对象，首先采用激光晶化技术完成制备工作，其次设计对电致发光材料性能计算方法，最后设计吸收光谱、固态与薄膜态量子产量、发光寿命、发光率四方面的测定环节，依此对晶化处理和未晶化的两个样本进行电致发光材料测定。结果表明：晶化后的电致发光材料中存在尺寸可控的纳米硅量子，且当氧气量充足时，晶化后的致电发光材料的硅粒子产出量会逐渐增加；光学带隙要比原始沉积样本要小，且当精光密度增加时光学带隙发生进一步缩减；晶化后的样本发光寿命有、无氧两种状态均为1 200 ns,发光率可达到99%。以上结果说明激光晶化形成纳米硅基电致发光材料性能优越，具有较强的发展潜力。以期可为日后的纳米硅基电致发光材料研究与制作过程中提供理论支撑，在此基础上制备出性能更加优异的电致发光材料。
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单位黄河科技学院
