基于IPD工艺的滤波器设计

作者:李鹏浩; 吴蓉; 马骁; 杨新豪; 陈思婷; 邱昕; 郭瑞
来源:半导体技术, 2022, 47(04): 313-319.
DOI:10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.04.009

摘要

采用集成无源器件(IPD)工艺设计并实现了一款9阶椭圆低通滤波器和一款9阶椭圆高通滤波器。利用设计软件对电感元件、滤波器中的串联和并联谐振支路以及滤波器整体进行设计布局以及电磁仿真优化。低通滤波器芯片尺寸为0.65 mm×1 mm×0.1 mm,高通滤波器芯片尺寸为0.7 mm×1.3 mm×0.1 mm。芯片测试结果显示,低通滤波器的-3 dB截止频率高于4.85 GHz,带外抑制在5.89~16.8 GHz内大于35 dB;高通滤波器的-3 dB截止频率低于6.35 GHz,带外抑制在5.17 GHz以下时大于35 dB。这两款滤波器在所需的工作频率范围内与设计指标吻合良好,达到了设计要求。

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