科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明公开了一种氮化物非易失性的多值逻辑存储器及制作方法,主要解决现有氮化物非易失性存储器耐久性差、延迟高和漏电大的问题。其自下而上包括衬底、成核层、沟道层、浮栅层、第一势垒层、第一量子阱层、第二势垒层、隔离层、栅极接触层；该第一势垒层、第一量子阱层和第二势垒层构成第一共振隧穿二极管,第二势垒层与隔离层之间设有串联层、第三势垒层、第二量子阱层和第四势垒层,该第三势垒层、第二量子阱层和第四势垒层构成第二共振隧穿二极管,浮栅层两侧设有源电极和漏电极,栅极接触层上设有栅电极,形成三极管结构器件。本发明能增加写入和擦除的电流差,减小延迟和漏电,易实现多值逻辑状态,可用于高密度存储和多值逻辑电路。
- 单位
