低相噪低温漂介质振荡器设计

作者：张文锋; 高晓强

来源：科技资讯, 2021, 19(13): 10-14.

DOI：10.16661/j.cnki.1672-3791.2106-5042-4531

• 负阻单片
• 同轴介质谐振器
• 低相位噪声
• 低温漂

该文设计了一款低相噪、低温漂同轴介质振荡器,该振荡器主要包括三部分:负阻电路部分、同轴介质谐振部分、输出缓冲放大部分。其中,负阻部分和缓冲放大部分使用MMIC工艺实现,谐振部分采用同轴介质和薄膜工艺实现,整体组装采用微组装工艺,在实现产品小型化的同时,达到了低相噪、低温漂的设计目标。最终产品的尺寸为:14 mm×14 mm×5 mm。测试结果表明:在电源电压+9 V、电调电压0～9 V条件下,该产品的输出频率为2.958～2.988 GHz,相位噪声为-107 dBc/Hz@10 kHz,温漂为:3 MHz。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所; 中国电子科技集团公司第二十九研究所