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摘要
IGBT作为功率转换、功率控制的新型器件,已广泛应用于变频空调、电磁炉、电饭煲等产品。鉴于成本压力,在通流能力保持不变的前提下,IGBT将变得更小更薄。工艺上不论是给晶圆代工厂还是封装代工厂,都是极大地挑战。本文主要通过对沟槽栅FS-IGBT芯片封装后,HTRB上机时出现漏电增长的问题进行调查分析,澄清在芯片设计不变的前提下,找出HTRB失效的解决方法。
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IGBT作为功率转换、功率控制的新型器件,已广泛应用于变频空调、电磁炉、电饭煲等产品。鉴于成本压力,在通流能力保持不变的前提下,IGBT将变得更小更薄。工艺上不论是给晶圆代工厂还是封装代工厂,都是极大地挑战。本文主要通过对沟槽栅FS-IGBT芯片封装后,HTRB上机时出现漏电增长的问题进行调查分析,澄清在芯片设计不变的前提下,找出HTRB失效的解决方法。
