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摘要
为了提高CdS光敏层在TiO2一维纳米棒阵列中的填充率,在TiO2种子层的基础上,采用水热法于FTO导电玻璃表面生长了棒长较短、棒间距较大的低密度TiO2一维纳米棒阵列膜,通过化学浴沉积在TiO2纳米棒表面包覆CdS种子层,以此为基底采用水热法于TiO2一维纳米阵列中生长CdS光敏层。采用SEM,XRD及紫外-可见吸收光谱对不同CdS水热生长时间的TiO2/CdS复合膜结构进行了表征,并对其光电性能进行了研究。结果表明,低密度TiO2纳米棒阵列有利于CdS生长液在阵列中渗入形成完全包覆的CdS种子层,CdS光敏层通过水热过程在整个TiO2纳米棒表面均匀生长,逐渐形成CdS对TiO2纳米棒阵列的完全填充和包覆,并在阵列顶端形成由CdS纳米短棒组成的花状修饰层;CdS的修饰将TiO2一维纳米阵列膜的光吸收拓展至可见光区,水热生长7h所得到的TiO2/CdS复合膜具有最高光电流。所制备的CdS修饰低密度TiO2纳米棒复合膜在太阳电池器件中具有很好的应用前景。
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