图形化SOI LDMOS功率器件的性能分析

作者：程新红宋朝瑞俞跃辉赵天麟李树良

来源：微处理机, 2005, (04): 1-2.

• 图形化SOI
• LDMOSFET
• 浮体效应
• 自加热效应 Patterned-SOI
• LDMOS
• Floating-body effect
• Self-heating effect

本文提出了一种在沟道下方埋氧层中开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET新结构。工艺和性能分析表明,它可抑制SOI结构的浮体效应和自加热效应,具有低的泄漏电流,以及高的电流驱动能力。这种结构具有提高SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力。

• 单位
  中国科学院